João Miguel Mesquita
A Indra Group está a coordenar o projeto de investigação GIGaNTE, uma iniciativa que pretende dotar Espanha de capacidade própria para desenvolver tecnologias baseadas em nitreto de gálio (GaN). Este material semicondutor é utilizado em aplicações eletrónicas de elevado desempenho e assume um papel particularmente relevante em sistemas avançados de defesa, incluindo radares e comunicações críticas.
O objetivo central do projeto passa por desenvolver um processo próprio de fabrico baseado em GaN que permita criar dispositivos eletrónicos capazes de operar em frequências muito elevadas e em ambientes de elevada exigência técnica. Entre os desenvolvimentos previstos estão circuitos integrados especializados conhecidos como MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits), usados em equipamentos de radiofrequência, bem como novas técnicas de integração e encapsulamento que permitam incorporar estes componentes em módulos e antenas mais compactos e eficientes.
A iniciativa arrancou em janeiro e tem um orçamento superior a nove milhões de euros, com uma duração prevista de quatro anos. O projeto pretende estabelecer pela primeira vez em Espanha uma cadeia de valor completa que abrange desde o design de dispositivos até à sua fabricação, integração e validação final. O programa insere-se nas chamadas Missões de Ciência e Inovação do plano PEICTI 2024–2027 do Ministério da Ciência, Inovação e Universidades espanhol, sendo gerido pelo Centro para o Desenvolvimento Tecnológico Industrial (CDTI).
A ambição passa também por reforçar a capacidade industrial e científica do país num domínio considerado estratégico. O desenvolvimento de tecnologias próprias de semicondutores compostos, como o GaN, é visto como um passo importante para reduzir dependências externas e para integrar futuras cadeias de valor europeias neste segmento da indústria dos chips.
O consórcio do projeto reúne várias empresas e instituições académicas. Além da Indra Group, participam a Televes Corporación, a SPARC Foundry e a RBZ Robot Design, empresas que contribuem com competências em eletrónica avançada, design de circuitos integrados e produção industrial. A participação da SPARC Foundry é particularmente relevante por disponibilizar uma plataforma industrial de fabrico aberta em tecnologias III-V e GaN, que poderá permitir escalar a produção resultante do projeto.
No plano científico, colaboram equipas da Universidade Politécnica de Madrid, da Universidade de Vigo, da Universidade de Salamanca e do Centro Tecnológico das Telecomunicações da Galiza (GRADIANT). Estas instituições estão envolvidas em áreas como o desenvolvimento de arquiteturas baseadas em GaN, a caracterização de dispositivos e a criação de modelos eletrónicos que permitam otimizar o comportamento destes circuitos.
O projeto GIGaNTE faz parte de uma estratégia mais ampla da Indra para reforçar capacidades espanholas em tecnologias consideradas críticas. A empresa também participa na SPARC Foundry, da qual detém 37% do capital, numa iniciativa destinada ao design e produção de chips baseados em nitreto de gálio e outras tecnologias de semicondutores III-V utilizadas em sistemas fotónicos e de radiofrequência.
Em janeiro deste ano teve início em Vigo a construção da primeira fábrica espanhola dedicada à produção de chips GaN, uma infraestrutura industrial que deverá apoiar o desenvolvimento de futuros sistemas avançados nas áreas da defesa e do setor aeroespacial. A nova unidade integra-se na plataforma tecnológica da SPARC Foundry e deverá servir como base para as futuras capacidades de fabrico associadas ao projeto.
Para a indústria europeia de tecnologia, iniciativas deste tipo refletem uma tendência mais ampla de reforço da autonomia estratégica no domínio dos semicondutores, numa altura em que a dependência de cadeias de abastecimento externas continua a ser um dos principais desafios para a competitividade industrial do continente.
